天津國芯科技有限公司位于天津濱海新區，公司具有國家商用密碼生產定點單位許可、商用密碼銷售許可及多項商用密碼產品型號等資質，是天津市高新技術企業、工信部認證的集成電路設計企業、ISO9001質量管理體系認證單位、天津市密碼行業聯盟理事單位、天津市集成電路行業協會理事單位、天津市物聯網產業聯盟理事單位。
天津國芯成立之初就與國際著名半導體企業德國英飛凌開展IC設計技術合作，引進了英飛凌的高端IC設計技術和體系。此舉在加速國際高端設計技術向中國市場轉移的同時也提升了天津國芯的集成電路設計能力及水平。公司擁有經驗豐富的研發及管理團隊，專業從事32位信息安全專用嵌入式CPU及其系統芯片（SoC）的設計、生產、銷售與服務等工作，在安全芯片設計領域擁有豐富的經驗。
公司產品目前已用于智能電網、手機移動支付、M2M信息加密、金融終端等信息安全領域。公司成立以來先后完成了多款適用于各領域安全終端產品的信息安全SoC產品開發、批量生產和銷售，其中高端加密SD卡首次在上海世博會的“警務通”系統中使用，成為上海世博會“警務通”系統唯一使用的安全SD芯片卡。公司產品曾獲得第十三屆中國國際高新技術成果交易會“優秀產品獎”、2012年度“中國電子信息行業用戶滿意產品”等諸多榮譽。
網址：www.china-core-tj.com
電話：022-59826555
地址：天津開發區第四大街80號天大科技園軟件大廈北樓三層306室（215013）
安全芯片CUni360S-Z
產品概述
CUni360S-Z安全芯片是具備接觸和磁條卡操作功能的信息安全芯片。CUni360S-Z芯片采用國內具有自主知識產權的32位CPU安全內核CS0進行設計，具有低功耗、高性能、多功能及高安全性等特點。可廣泛應用于POS機、雙界面讀卡器、動態二維碼終端等領域。典型工作頻率60MHz。
性能特點
（1）CPU特性
低功耗32位RISC核芯，高度優化的3級流水線；支持字節、半字、字內存訪問；支持中斷嵌套；支持單周期32位×32位硬件整數乘法器陣列、3~13周期硬件整數分頻器陣列；存儲器保護單元MPU；低功耗高性能；支持Cache；定時模塊EPT。
（2）片上存儲資源
64K字節SRAM；16K字節ROM；512K字節EFLASH。
（3）內部模塊
DMA/EDMA；2個定時器（PIT）；看門狗（WDT）；實時時鐘（RTC）；計時器（TC）。
（4）安全特性
·具有公鑰算法引擎，支持SM2、RSA算法。
·具有對稱算法引擎，支持SM1、SM4、DES/3DES、AES算法。
·具有摘要算法引擎，支持SM3、SHA-0/ SHA-1/ SHA-224/ SHA-256/ SHA-384/ SHA-512算法。
·支持CRC32/CRC16/ CRC8，支持DMAC操作。
·存儲保護機制：面向應用的存儲分區，硬件支持各分區之間的安全隔離，總線加擾。
·真隨機數發生器，符合FIPS 140-2標準和國家商密標準。
·安全檢測與防護單元：支持電壓異常檢測、光照異常檢測、電源毛刺檢測、金屬屏蔽保護、溫度異常檢測、頻率異常檢測、時鐘和復位脈沖過濾、安全優化布線。
·PCI認證支持：支持128 Byte的NvSRAM，支持4對開蓋檢測信號（動態/靜態檢測模式可配），支持電壓檢測、溫度檢測、自毀清零NvSRAM。
（5）接口特性
具有EPORT、USB、SPI、I2C、UART（SCI）、ISO7816、磁條卡、AD、PWM等接口。
（6）其他特性
·每一顆產品具有唯一序列號；
·主電輸入電壓2.5~5.5V，PCI域輸入電壓2~3.3V；
·典型功耗20mA@ 60MHz，低功耗Sleep模式小于50μA；
·ESD保護：4kV；
·支持內部上電復位和外部復位。
技術參數
（1）工作頻率：60MHz；
（2）處理器性能：0.9 DMIPS/MHz；
（3）存儲空間：16kB ROM、64kB SRAM、512kB FLASH；
（4）支持算法：SM1算法、SM2算法、SM3算法、SM4算法、AES算法、DES算法，RSA算法；
（5）SM1算法加解密性能（ECB/CBC）：241.6Mbps/241.6Mbps；
（6）SM2算法生成密鑰（256位）：196.1次/秒；
（7）SM2算法加密（256位）：16Kbps；
（8）SM2算法解密（256位）：24Kbps；
（9）SM2算法簽名（256位）：175.4次/秒；
（10）SM2算法驗簽（256位）：98次/秒；
（11）SM3算法性能：444.8Mbps；
（12）SM4算法加解密性能（ECB/CBC）：182.4Mbps/182.4Mbps；
（13）RSA算法生成密鑰（2048位）：2秒/次；
（14）RSA算法加密（2048位）：833.3次/秒；
（15）RSA算法解密（2048位）：30.3次/秒；
（16）芯片采用工藝：TSMC 40nm EFLASH；
（17）芯片主要安全特性：MPU存儲空間保護、內置復位、電壓檢測器、安全布線；
（18）面積：1989μm * 1935μm；
（19）封裝形式：采用QFN76封裝形式；
（20）芯片工作電壓為：3.3V或1.8V；
（21）峰值功耗：145MW。
產品鑒定或檢測證明等
證書編號：MDZS18A241TP-2
檢測機構：銀行卡檢測中心
檢測結果：CUni360S-Z芯片通過銀行卡檢測中心PCI 5.1標準檢測。
摘自《工業控制系統信息安全產品及服務指南（2018版）》
